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大功率器件专用氮化镓单晶衬底

GaN SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE FOR HIGH POWER DEVICES

产品中心

Products Center

4英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)
规格:GaN-FS-C-U-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.1 mm 厚度:650 ± 50 μm 电阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
更多 白箭头 黑箭头
4英寸自支撑氮化镓晶片(铁掺)
规格:GaN-FS-C-SI-C100 尺寸:Ф 100 ±1 mm 厚度:420 ±50μm 电阻率(300k):>1×10⁹Ω*cm
更多 白箭头 黑箭头
2英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)
规格:GaN-FS-C-U-C50 尺寸:Ф 50.8 ± 1 mm 厚度:350 ± 25 μm 电阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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4英寸自支撑氮化镓晶片(非掺)
规格:GaN-FS-C-U-C100 尺寸:Ф 100 ± 0.1 mm 厚度:650 ± 50 μm 电阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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规格:GaN-FS-C-SI-C100 尺寸:Ф 100 ±1 mm 厚度:420 ±50μm 电阻率(300k):>1×10⁹Ω*cm
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规格:GaN-FS-C-U-C50 尺寸:Ф 50.8 ± 1 mm 厚度:350 ± 25 μm 电阻率(300k):< 0.5 Ω*cm
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专业的高质量氮化镓衬底供应商

U乐国际登录网址致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,经过15年努力,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位;氮化镓产品性能综合指标国际领先,未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

 

U乐国际登录网址成立于2007年,专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到未来将形成万亿美元以上的市场规模。

 

专业的高质量氮化镓衬底供应商

U乐国际登录网址致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓(GaN)单晶衬底的研发与产业化,经过15年努力,实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术,现在是国内和国际少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位;氮化镓产品性能综合指标国际领先,未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

 

U乐国际登录网址成立于2007年,专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到2025年将形成万亿美元以上的市场规模。

 

2007
公司成立
500+
服务客户
60+
核心专利
50+
邀请报告
10亿+
总投资

产品应用

Applications ——

氮化镓是第三代半导体的代表,它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料,预计到未来将形成万亿美元以上的市场规模...

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