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典型GaN射频器件的工艺流程 2022-09-26
典型GaN射频器件的工艺流程
典型的GaN射频器件的加工工艺主要包括如下环节:外延生长-器件隔离-欧姆接触(制作源极、漏极)-氮化物钝化-栅极制作-场板制作-衬底减薄-衬底通孔等环节。
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氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞转换器的新进展 2022-09-26
氮化镓X波段氮化镓放大器和阻塞转换器的新进展
英国高性能微波功率放大器公司Diamond Microwave近日宣布推出一系列小型微波GaN基脉冲固态功率放大器(SSPA),包括200W和400WX波段SSPA,以及即将增加的1kW C波段放大器的设计和1kW X波段放大器。
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【显示资讯DisplayTimes】韩国KAIST研发软性垂直Micro 2022-09-26
【显示资讯DisplayTimes】韩国KAIST研发软性垂直Micro LED 可用于刺激、活化脑部并控制行为
韩国学术团队研发出软性垂直Micro LED技术,可置入动物脑部,利用灯光控制行动,适用于脑部研究等生物医疗领域,也可用于智能型手机、行动装置显示器、穿戴式照明产品,技术已达量产水平。
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氮化镓|美国空军研究实验室研究出柔性氮化镓生长新方法,对射频器件意义重大 2022-09-26
氮化镓|美国空军研究实验室研究出柔性氮化镓生长新方法,对射频器件意义重大
美国空军研究实验室(AFRL)宣布已经发现一种新的生长和转移氮化镓(GaN)方法,为未来第五代、高速、灵活的通信系统奠定了基础。
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